Name: Vishay Siliconix SI5913DC-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5913DC-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI5913DC-T1-E3

Artikelnummer:

SI5913DC-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

Datenblätte:

1.SI5913DC-T1-E3.pdf ···: Umweltinformationen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI5913DC-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI5913DC-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±12V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	1206-8 ChipFET™
Serie	LITTLE FOOT®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	84mOhm @ 3.7A, 10V
Verlustleistung (max)	1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	8-SMD, Flat Lead
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 10 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	Schottky Diode (Isolated)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	4A (Tc)
Grundproduktnummer	SI5913
SI5913DC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI5913DC-T1-E3 PDF - EN.pdf

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